新傲在SOI材料研究方面居國內領先位置,并保持國際先進水平。
1) 2002年,新傲公司建立了國內第一條SIMOX SOI生產線,并開發相關的成套工藝,研制出系列的全劑量、中等劑量和低劑量SIMOX產品。
2) 2005年,新傲開發出鍵合SOI材料生產技術;同年,在結合SIMOX和鍵合技術的基礎上,新傲開發出具有自主知識產權的Simbond®技術(ZL 200510028365.6)。
3) 2008年,新傲開發出另一項同樣具有自主知識產權的BEST-SOI技術(ZL 200810201039.4)。
4) 2010年,新傲北區建成投產,批量生產8英寸SOI/EPI產品。
5) 2014年,瞄準RF、汽車電子市場的蓬勃發展,新傲與法國Soitec公司開展技術合作,引進注氫剝離技術,并于2015年實現SOI產品的量產。
6) 瞄準SOI器件及下一代微納電子材料的應用,積極推進包括:高遷移率襯底材料、高k柵極介質材料、特種 SOI材料、SOI高壓器件以及硅基光互聯等方面的研究工作。
新傲公司SOI主要專注下述領域:
SIMOX
Bonding
Simbond
Best SOI
Direct Si-Si Bonding
與此同時,新傲公司也致力于外延技術的發展:
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在紅外加熱筒式外延設備上開發重摻As襯底上的外延工藝,抑制As的自摻雜效應,生長高阻、過渡區窄的外延層
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在紅外加熱筒式外延設備上實現厚度和電阻率均勻性好的1um左右的BiCMOS用外延片
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雙埋層、As埋層電路襯底上高阻外延工藝開發
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全梯度和半梯度外延工藝開發并應用到全系列FRD產品
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新傲科技采用SIMOX,BONDING,SIMBOND和SSS四種工藝,利用先進設備來制備SOI材料,以確保圓片能夠達到國際半導體標準,并能夠滿足當今世界主流IC生產線的要求。 依靠強大而持續的技術支持,整合國產化襯底片良好的性價比以及強大而靈活的加工能力優勢,向客戶提供專業化的外延服務。